RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2978
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link