RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2612
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link