RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3432
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link