RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
73
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2071
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link