RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
73
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
54
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1611
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link