RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3186
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link