RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
73
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2362
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link