RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2890
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link