RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3191
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NF-DI 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link