Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    32 left arrow 73
    Wokół strony -128% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 1,423.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 5300
    Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    73 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,510.5 left arrow 11.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,423.3 left arrow 8.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    476 left arrow 2585
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania