RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2585
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link