Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 17
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 73
    Wokół strony -217% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.4 left arrow 1,423.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 5300
    Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    73 left arrow 23
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,510.5 left arrow 17.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,423.3 left arrow 13.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    476 left arrow 2936
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania