RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
73
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3224
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link