RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
73
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2427
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link