RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2558
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link