RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2321
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link