RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2314
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link