RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
73
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3033
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link