RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,906.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,323.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
703
3261
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link