RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
67
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,104.4
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
64
67
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
4,567.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
2,104.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
757
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology HYOVF1B163GZM 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link