RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
25.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
25.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3903
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link