RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
64
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3439
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link