RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3189
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link