RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3687
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link