RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3048
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link