RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3547
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link