RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3827
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link