RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2821
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link