RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3072
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link