RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2384
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link