RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3228
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link