RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3239
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link