RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3308
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link