RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2853
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link