RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
3434
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link