RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
3434
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link