RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
13.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2987
3454
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link