RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2987
2989
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link