RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2987
2902
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link