RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2898
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link