RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
3072
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link