RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2854
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link