RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
60
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2511
3465
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Lenovo 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link