RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2511
2709
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link