RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2434
2875
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link