RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2848
2895
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link