RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Porównaj
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
70
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
52
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
14.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2519
2853
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link