RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2034
3420
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link