RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2971
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link