RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2497
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link