RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
4022
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link