RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3676
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link